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红外发光二极管
来源: | 发布日期:2021-12-08
近日,浙江大学皮孝东教授等人在Science China Materials发表研究论文,使用聚3-己基噻吩(P3HT)空穴迁移率高,不吸收近红外光,作为装置的空穴传输层,提高近红外发光二极管的性能。实验发现,P3HT改善了基于硅量子点的近红外发光二极管的空穴/电子传输不平衡。
进一步聚[9,9-二(3?-(N,N-丙基二甲胺基)-2,7-芴-交-2,7-(9,9-(二辛基)PFN)P3作为中间层修饰HT近红外硅量子点发光二极管的性能有了更大的提高,其外量子效率和功率效率分别达到3.4%和4.4%。
近红外硅量子点发光二极管可用于模拟神经突触的可塑性,如短时程可塑性和长时程可塑性。
图1 ?NIR QLEDs结构示意图(a);平带能级图(b);J–V?曲线(c,d)?;? EQE 与电流的关系(e); ?功率效率与电压的关系(f); ?PL 衰减曲线(g);~5 V驱动下的稳定性(h)。
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